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Transistortyp N-MOSFET Polarisation unipolar
Transistor kind HEXFET
Drain-Quelle-Spannung 55V
Drainstrom 89A
Leistung 130W
Gehaeuse TO220AB
Gatter-Quelle-Spannung 16V
Durchlass-Widerstand 10mO
Thermischer Widerstand Anschluss-Gehaeuse 1.2K-W
Montage THT
Gatterladung 65.3nC
Menge | Staffelpreis | 1 Stück = |
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ab 10 Stück | je 2,18 € * | 2,18 € |
ab 20 Stück | je 2,07 € * | 2,07 € |
ab 30 Stück | je 1,95 € * | 1,95 € |
ab 50 Stück | je 1,84 € * | 1,84 € |
ab 100 Stück | je 1,61 € * | 1,61 € |